Tranzistor FGA25N120ANTD TO3P
Kód: 101040103Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
ONSEMI FGA25N120ANTDTU
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 25A; max. ztrátový výkon 125W; pouzdro TO3P; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Tento tranzistor se často používá v řídících deskách indukčních ohřívačů, např. Professor IV-304.