Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1000V a proudem 60A v pouzdru TO264 od výrobce ON Semiconductor
Detailní informace
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1000V; max. napětí Gate-Emitor ±25V; max. proud Kolektoru 60A; max. ztrátový výkon 180W; pouzdro TO264; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Nastavení