Tranzistor HGTG30N60B3 TO247
Kód: 101040551Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
ONSEMI HGTG30N60B3
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 30A (60A při 25°C); max. ztrátový výkon 208W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.