Tranzistor IGW40N60H3 TO247-3
Kód: 101040107
Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon Technologies IGW40N60H3
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 80A; max. ztrátový výkon 306W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Vysoká rychlost
- Rychlá paralelní dioda
- Nízké EMI
- Nízké saturační napětí
- Pracovní teplota až 175°C