Tranzistor IHW30N160R2 TO247-3
Kód: 101040525
Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon Technologies IHW30N160R2 (H30R1602)
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 30A; max. ztrátový výkon 312W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.