Tranzistor IRF1010EPBF TO220AB
Kód: 101040515Vlastní sklad
Více než 10 000 položek na vlastním skladě ihned připraveno k odeslání.
Detailní popis produktu
Infineon IRF1010EPBF
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; HEXFET; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 84A; max. ztrátový výkon 200W; odpor v sepnutém stavu 0,012Ω; max. náboj hradla 130nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.