Tranzistor IGBT s maximálním napětím 1200V a proudem 20A v pouzdru TO220 od IXYS
Detailní informace
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 20A; max. ztrátový výkon 85W; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -40÷150°C.
Nastavení