Tranzistor IGBT s maximálním napětím 600V a proudem 14A v pouzdru TO220FP od výrobce STMicroelectronics
Detailní informace
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 14A; max. ztrátový výkon 24W; pouzdro TO220FP; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Nastavení