Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 80A; max. ztrátový výkon 300W; odpor v sepnutém stavu 0,023Ω; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Používáme cookies, abychom Vám umožnili pohodlné prohlížení webu a díky analýze provozu webu neustále zlepšovali jeho funkce, výkon a použitelnost. Více informací zde.